Unsere Lasersysteme sind für die Integration unterschiedlicher Strahlquellen ausgelegt und erlauben so die Randentschichtung aller Dünnschichtsolarzellen:

  • alle metallischen Front- oder Rückkontakte (Mo, Al, Ag)
  • alle gängigen Halbleiter (a-Si single junction/tandem junction, CIS, CIGS, CdTe)
  • alle TCO-Schichten (ITO, ZnO, SnO2)

Die in der Glasindustrie typischen Formattoleranzen werden durch ein integriertes Sensorsystem und eine Software-Regelung ausgeglichen. Die zu bearbeitenden Bereiche des Substrates können über die Maschinensteuerung flexibel angepasst werden, ein Umrüsten der Anlage ist nicht notwendig. Die hohe Strahlqualität unserer Systeme ersetzt je nach Schichtsystem den P4-Isoscribe. Auf Wunsch kann ein zusätzlicher Isoscribe (532nm / 1064nm) in die Randentschichtungsanlage integriert werden.

Inline-System zur Laserrandentschichtung
Das System kann für alle gängigen Substratgrößen konfiguriert werden